Российский электронный наножурнал (нанотехнологии и их применение)

вернуться в обычный режим
Главная / Новости и События / Новости нанотехнологий


Новости нанотехнологий

30.08.2016   Физики изобрели флешку будущего на основе мультиграфена

Флешка будущего, способная работать в 2-3 раза быстрее современных аналогов и дольше сохранять информацию, создана специалистами из новосибирского Института физики полупроводников им. Ржанова (ИФП) СО РАН. Как сообщает издание  "Наука в Сибири", это стало возможным благодаря применению мультиграфена.

Он состоит из нескольких слоёв графена – одного из самых перспективных материалов, который можно представить как плоскость графита, толщиной в один атом углерода. Этому соединению учёные пророчат большое будущее как в нанотехнологиях, в электронике и других областях.

флешка

Новосибирские физики рассматривают мультиграфен в качестве запоминающей среды для хранения электрического заряда, что может стать основой для флешек нового поколения. Помимо мультиграфена, необходимыми компонентами таких носителей являются туннельный (из оксида кремния) и блокирующий слои. Эффективность же запоминающего устройства зависит от величины работы выхода запоминающей среды – энергии, которая тратится на удаление электрона из вещества и в этом плане многослойный графен уникален.

Одним из его важнейших свойств является большая работа выхода для электронов, составляющая около пяти электронвольт. Из-за этого величина потенциального барьера на границе мультиграфена и оксида кремния увеличена и составляет примерно четыре электронвольт, именно за этой характеристикой новосибирцы усмотрели будущее мультиграфена в качестве устройства флеш-памяти.

«Так как для флеш-памяти на основе мультиграфена требуется тонкий туннельный слой, то быстродействие повышается в два-три раза. Ко всему прочему мы можем использовать более низкие напряжения перепрограммирования, а большая работа выхода позволяет долго хранить инжектированный заряд», - уверен старший научный сотрудник ИФП СО РАН, Юрий Новиков.

Использование мультиграфена, по мнению учёных, даст возможность оптимизировать геометрию флеш-памяти, например, использовать более тонкий туннельный слой. В сегодняшних флешках, основным компонентом которых является кремний, величина потенциального барьера на границе его с оксидом кремния составляет только 3,1 электронвольт. Поэтому требуются более толстые туннельный и блокирующий слои, а это в свою очередь неизбежно приводит к уменьшению быстродействия.

Однако говорить о промышленном производстве мультиграфеновых флеш-носителей преждевременно.

«На данный момент мы занимаемся только фундаментальными исследованиями. Конечно, опытные образцы существуют и с ними интенсивно работают, но для коммерческого применения, скажем в России, требуется завод с современными технологиями. Стоить он будет около пяти миллиардов долларов», – поясняет Юрий Новиков.

STRF.ru




http://www.nanojournal.ru/events.aspx?cat_id=224&d_no=41270