21 ноября 2017 Г. Нанотехнологии и наноматериалы Российские нанотехнологии STRF.RU регистрация вход

   
Подписка
Главная / Архив журнала / Анонсы выпусков журнала «Российские нанотехнологии»
Редколлегия
Контакты
Размещение рекламы
Партнёры
форум
Архив журнала

Анонсы выпусков журнала «Российские нанотехнологии»

Вышел 1–2 номер журнала «Российские нанотехнологии»

В номере опубликована работа О.А. Агеева и др., где представлены результаты разработки математической модели расчета двумерного рельефа поверхности подложки при травлении фокусированным ионным пучком. Проведен вычислительный эксперимент по расчету двумерного рельефа подложки при воздействии фокусированного ионного пучка. Разработаны алгоритм расчета рельефа поверхности при травлении с учетом эффекта переосаждения распыленного материала и программное обеспечение, позволяющее прогнозировать параметры рельефа поверхности подложки в зависимости от параметров ионного пучка и сканирующей системы. Адекватность разработанной модели подтверждена сравнением с результатами экспериментальных исследований.

Процессы переключения поляризации и создания поляризованного состояния в тонких сегнетоэлектрических пленках толщиной меньше 100 нм по-прежнему остаются малоисследованными. В статье В.М. Мухортова и др. исследовано переключение поляризации сегнетоэлектрических тонких пленок Ba0.8Sr0.2TiO3 толщиной 2–150 нм, осажденных на Si(111) с Pt подслоем. Критическим параметром при переключении поляризации является площадь сегнетоэлектрического кристаллита. Пленки толщиной 2 нм обладают сегнетоэлектрическими свойствами.

В работе Г.Л. Пахомова и др. получены прототипы органических фотовольтаических ячеек на основе планарного гетероперехода «субфталоцианин/фуллерен» на гибких полимерных подложках. Измерены вольт-амперные характеристики в темноте и при освещении, рассчитаны основные параметры фотопреобразования. Показано, что введение верхнего (подкатодного) ультратонкого барьерного слоя, образованного молекулами Alq3, позволяет значительно уменьшить паразитные сопротивления в ячейке, что приводит к росту коэффициента заполнения до 55 %. При осаждении буферного слоя InClPc на поверхность анода (ITO) э.д.с. холостого хода ячеек увеличивается с 0.47 до 0.83 В. Наибольшая эффективность фотопреобразования достигнута в ячейках с двумя интерфейсными слоями (~1 %).

Загружайте приложение журнала для iPad и Android.

Архив за 2006–2010 годы теперь в открытом доступе.

Скачать деловой блок и содержание можно здесь.


обсудить публикацию

версия для печати



ай вао
Новости

Вышел 3-4 номер журнала «Российские нанотехнологии» том 12 2017


Из печати вышел 3-4 номер журнала «Российские нанотехнологии» за 2017 год

читать полностью читать полностью

Вышел 1–2 номер журнала «Российские нанотехнологии», том 12 2017 год


Из печати вышел 1–2 номер журнала «Российские нанотехнологии» за 2017 год

читать полностью читать полностью

Вышел 11–12 номер журнала «Российские нанотехнологии», том 11 2016 год


Из печати вышел 11–12 номер журнала «Российские нанотехнологии» за 2016 год

читать полностью читать полностью

Нанотехнологии: от малого до великого


Сопредседатель 7-го Нано и Гига Форума Анатолий Коркин об особенностях конференции, которая пройдёт в 2017 году в Томске

читать полностью читать полностью

Наноконтейнеры для полиненасыщенных жирных кислот


Молекулы пищевых биополимеров можно использовать как микро- и наноконтейнеры для этих веществ и применять для обогащения продуктов питания

читать полностью читать полностью




Acta Naturae



© ООО «Парк-медиа», 2007-2008

Разработка - Metric

Все права защищены
Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100